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  MOS  

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Metal-Oxide-Semiconductor

半導体素子の構造の一種で、金属(metal)-半導体酸化物(oxide)-半導体(semiconductor)の三層構造になっているもの。この構造を利用したトランジスタをMOSFET(FET:電界効果トランジスタ)あるいは単にMOSトランジスタと呼び、多くの半導体製品に応用されている。

 シリコン(Si)基板の上に二酸化珪素(SiO2)の薄膜を形成し、その上に金属ゲートを配置した構造のものが多く、半導体酸化物の層が絶縁膜として機能する。



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